图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:10 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:5 |
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最小起订量:5 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:3200 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| 文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 70 mOhm @ 3.9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 46nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2535pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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